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DB207S整流橋產品解析之電性參數芯片介紹

文章出處:鼎芯實業(深圳)有限公司文章編輯:高蘭人氣:-發表時間:2016-11-04 00:00:00【
摘要 : DB207S整流橋的電流電壓是多大的?它使用的是什么芯片?ASEMI工程師為您介紹。

      DB207S整流橋的電流電壓是多大的?它使用的是什么芯片?ASEMI工程師為您介紹。

DB207S整流橋電性參數

    DB207S的浪涌電流Ifsm為50A,漏電流(Ir)低于5uA,其工作時耐溫度范圍為
-55~150攝氏度。采用GPP芯片材質,里面有4顆芯片組成,芯片尺寸都是50MIL。它的
電性參數是:正向電流(Io)為2.0A,反向耐壓為1000V,正向電壓(VF)為1.05V,
恢復時間(Trr)達到500ns,其中有4條引線。

 

    ASEMI所生產的整流橋DB207S是使用GPP大芯片制作,其內部是由4顆相同體積的芯片組成的框架,框架材質為銅材料,黑膠部分采用復合材料環氧塑脂材料一次性澆鑄成型,具有良好的包封性,引腳為無氧銅材質組成,高抗彎曲和高導電性。這樣的整流橋不論是使用價值還是工藝價值,都是可圈可點的



   如果您對以上整流橋感興趣或有疑問,請聯系我們的企業QQ:800023533

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責任編輯:鼎芯

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